AgGaSe2-kiteet – nauhan reunat 0,73 ja 18 µm
Tuotteen Kuvaus
Viritys 2,5–12 µm:n sisällä on saatu pumpattaessa Ho:YLF-laserilla 2,05 µm:llä;sekä ei-kriittinen vaihesovitus (NCPM) 1,9–5,5 µm:n alueella pumpattaessa 1,4–1,55 µm.AgGaSe2:n (AgGaSe) on osoitettu olevan tehokas taajuutta kaksinkertaistava kide infrapuna-CO2-laserien säteilylle.
Työskentelemällä yhdessä kaupallisesti saatavien synkronisesti pumpattujen optisten parametristen oskillaattorien (SPOPO) kanssa femto- ja pikosekundissä, AgGaSe2-kiteet ovat osoittautuneet tehokkaiksi epälineaarisessa parametrisessa alasmuunnoksessa (erotaajuuden generointi, DGF) keski-IR-alueella.Keski-IR epälineaarisella AgGaSe2-kiteellä on yksi suurimmista ansioluvuista (70 pm2/V2) kaupallisesti saatavilla olevien kiteiden joukossa, mikä on kuusi kertaa enemmän kuin AGS-vastine.AgGaSe2 on myös parempi kuin muut keski-IR-kiteet useista erityisistä syistä.Esimerkiksi AgGaSe2:lla on pienempi avaruudellinen poistuminen ja se on vähemmän helposti saatavilla käsiteltäväksi tietyissä sovelluksissa (esimerkiksi kasvu- ja leikkaussuunta), vaikka sillä on suurempi epälineaarisuus ja vastaava läpinäkyvyysalue.
Sovellukset
● Toisen sukupolven yliaalto CO- ja CO2-lasereilla
● Optinen parametrinen oskilaattori
● Eri taajuusgeneraattori keskimmäisille infrapuna-alueille 17 mkm asti.
● Taajuussekoitus keskimmäisellä IR-alueella
Perusominaisuudet
| Kristallirakenne | Tetragonaalinen |
| Solun parametrit | a = 5,992 Å, c = 10,886 Å |
| Sulamispiste | 851 °C |
| Tiheys | 5,700 g/cm3 |
| Mohsin kovuus | 3-3.5 |
| Absorptiokerroin | <0,05 cm-1 @ 1,064 µm <0,02 cm-1 @ 10,6 um |
| Suhteellinen dielektrisyysvakio @ 25 MHz | ε11s = 10,5 εllt = 12,0 |
| Lämpölaajeneminen Kerroin | ||C: -8,1 x 10-6/°C ⊥C: +19,8 x 10-6 /°C |
| Lämmönjohtokyky | 1,0 W/M/°C |
